<input id="wo2mo"><acronym id="wo2mo"></acronym></input>
<menu id="wo2mo"><u id="wo2mo"></u></menu>
<nav id="wo2mo"></nav><input id="wo2mo"><u id="wo2mo"></u></input>
欢迎光临北京普尔盛电子技术有限公司
返回列表
您当前的位置:主页 > 中文简体 > 产品中心 > IGBT驱动核 >
PSHI 0622
发表于:2018-04-08 17:30 分享至:
点击下载数据资料

双通道大功率IGBT 驱动核


主要参数(Ta=25℃ )
VS 供电电源电压+15 V
P 隔离电源总功率6 W
Visol 隔离电压(1 minute. AC) 5 kV
VCES IGBT 集电极- 发射极电压1700 V
IoutAV 每通道平均电流100 mA
IoutPEAK 每通道峰值电流±15 A
Qout/pulse 每脉冲输出电荷±10* μC
VG(ON/OFF) 门极电压+15/-9 V
dv/dt 电压变化率75 kV/μS
td(I/O) 信号转换延时350 nS
tmd 窄脉冲抑制100 nS
td(err) 故障响应延时110 nS
fSW Max. 最高频率100 kHz

特点

●集成DC/DC 隔离电源
●纳米晶变压器隔离
●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) ?;?/div>
●欠压?;ぜ懊偶缪辜嗫?/div>
●故障“软关断”及动态尖峰抑制
●集成互锁及死区
● 0--100% 占空比
●表面爬电距离38mm

应用

桥式电路
变频器
逆变器
感应加热
EV
APF
SVG
高频电源


红河趴扒装饰材料公司 瑞丰汽摩配件有限公司| 阿玛科展览服务(上海)有限公司| 武汉市东西湖华泰货运信息部| 超硬材料上海有限公司| 行星减速机有限公司| 苏州范恩空间装饰工程有限公司| 东莞市川景金属材料有限公司| 皮革上海有限公司| 长沙市广昌建材有限公司| 封包机有限公司| 东莞市日月光全息防伪制品厂| http://www.accent-pr.net http://www.missmayelectric.com http://www.ctoris.com